HN1C03FU-A(TE85L,F
HN1C03FU-A(TE85L,F
رقم القطعة:
HN1C03FU-A(TE85L,F
الصانع:
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف:
TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
33840 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
HN1C03FU-A(TE85L,F.pdf

المقدمة

We can supply HN1C03FU-A(TE85L,F, use the request quote form to request HN1C03FU-A(TE85L,F pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number HN1C03FU-A(TE85L,F.The price and lead time for HN1C03FU-A(TE85L,F depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# HN1C03FU-A(TE85L,F.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

مواصفات

شرط New & Unused, Original Packing
الأصل Contact us
الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):20V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:100mV @ 3mA, 30mA
نوع الترانزستور:2 NPN (Dual)
تجار الأجهزة حزمة:US6
سلسلة:-
السلطة - ماكس:200mW
التعبئة والتغليف:Cut Tape (CT)
حزمة / كيس:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
اسماء اخرى:HN1C03FU-A(TE85LFCT
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
تردد - تحول:30MHz
وصف تفصيلي:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 300mA 30MHz 200mW Surface Mount US6
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:200 @ 4mA, 2V
الحالي - جامع القطع (ماكس):100nA (ICBO)
الحالي - جامع (IC) (ماكس):300mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات