DMG6601LVT-7
DMG6601LVT-7
رقم القطعة:
DMG6601LVT-7
الصانع:
Diodes Incorporated
وصف:
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
66042 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
DMG6601LVT-7.pdf

المقدمة

We can supply DMG6601LVT-7, use the request quote form to request DMG6601LVT-7 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number DMG6601LVT-7.The price and lead time for DMG6601LVT-7 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# DMG6601LVT-7.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

مواصفات

شرط New & Unused, Original Packing
الأصل Contact us
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.5V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:TSOT-26
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:55 mOhm @ 3.4A, 10V
السلطة - ماكس:850mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
اسماء اخرى:DMG6601LVT-7DITR
DMG6601LVT7
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:32 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:422pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:12.3nC @ 10V
نوع FET:N and P-Channel
FET الميزة:Logic Level Gate
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف تفصيلي:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:3.8A, 2.5A
رقم جزء القاعدة:DMG6601
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات