SI7530DP-T1-E3
SI7530DP-T1-E3
Parça Numarası:
SI7530DP-T1-E3
Üretici firma:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Açıklama:
MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
22411 Pieces
Teslimat süresi:
1-2 days
Veri Sayfası:
SI7530DP-T1-E3.pdf

Giriş

We can supply SI7530DP-T1-E3, use the request quote form to request SI7530DP-T1-E3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI7530DP-T1-E3.The price and lead time for SI7530DP-T1-E3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI7530DP-T1-E3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Özellikler

Şart New & Unused, Original Packing
Menşei Contact us
Id @ Vgs (th) (Max):3V @ 250µA
Tedarikçi Cihaz Paketi:PowerPAK® SO-8 Dual
Dizi:TrenchFET®
Id, VGS @ rds On (Max):75 mOhm @ 4.6A, 10V
Güç - Max:1.4W, 1.5W
paketleme:Original-Reel®
Paket / Kutu:PowerPAK® SO-8 Dual
Diğer isimler:SI7530DP-T1-E3DKR
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu:Lead free / RoHS Compliant
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:20nC @ 10V
FET Tipi:N and P-Channel
FET Özelliği:Logic Level Gate
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):60V
Detaylı Açıklama:Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 3.2A 1.4W, 1.5W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):3A, 3.2A
Temel Parça Numarası:SI7530
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar