SI7530DP-T1-E3
SI7530DP-T1-E3
Part Number:
SI7530DP-T1-E3
Producent:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Opis:
MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
Stan ołowiu / status RoHS:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dostępna Ilość:
22411 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Arkusz danych:
SI7530DP-T1-E3.pdf

Wprowadzenie

We can supply SI7530DP-T1-E3, use the request quote form to request SI7530DP-T1-E3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI7530DP-T1-E3.The price and lead time for SI7530DP-T1-E3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI7530DP-T1-E3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specyfikacje

Stan New & Unused, Original Packing
Pochodzenie Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Dostawca urządzeń Pakiet:PowerPAK® SO-8 Dual
Seria:TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs:75 mOhm @ 4.6A, 10V
Moc - Max:1.4W, 1.5W
Opakowania:Original-Reel®
Package / Case:PowerPAK® SO-8 Dual
Inne nazwy:SI7530DP-T1-E3DKR
temperatura robocza:-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:-
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:20nC @ 10V
Rodzaj FET:N and P-Channel
Cecha FET:Logic Level Gate
Spust do źródła napięcia (Vdss):60V
szczegółowy opis:Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 3.2A 1.4W, 1.5W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:3A, 3.2A
Podstawowy numer części:SI7530
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze