Condição | New & Unused, Original Packing |
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Origem | Contact us |
VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | PowerPAK® 1212-8 |
Série: | TrenchFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 295 mOhm @ 4A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Embalagem: | Cut Tape (CT) |
Caixa / Gabinete: | PowerPAK® 1212-8 |
Outros nomes: | SI7115DN-T1-GE3CT |
Temperatura de operação: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante: | 33 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1190pF @ 50V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 42nC @ 10V |
Tipo FET: | P-Channel |
Característica FET: | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 6V, 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 150V |
Descrição detalhada: | P-Channel 150V 8.9A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 8.9A (Tc) |
Email: | [email protected] |