Condizione | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | PowerPAK® 1212-8 |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 295 mOhm @ 4A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
imballaggio: | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro: | PowerPAK® 1212-8 |
Altri nomi: | SI7115DN-T1-GE3CT |
temperatura di esercizio: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard: | 33 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1190pF @ 50V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 42nC @ 10V |
Tipo FET: | P-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss): | 150V |
Descrizione dettagliata: | P-Channel 150V 8.9A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 8.9A (Tc) |
Email: | [email protected] |