SI4946CDY-T1-GE3
Modelo do Produto:
SI4946CDY-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
23083 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SI4946CDY-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:40.9 mOhm @ 5.2A, 10V
Power - Max:2W (Ta), 2.8W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:SI4946CDY-T1-GE3CT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:350pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) 2W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:5.2A (Ta), 6.1A (Tc)
Email:[email protected]

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