SI4946CDY-T1-GE3
- Número de pieza:
- SI4946CDY-T1-GE3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descripción:
- MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 23083 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- SI4946CDY-T1-GE3.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo: | 8-SO |
| Serie: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 40.9 mOhm @ 5.2A, 10V |
| Potencia - Max: | 2W (Ta), 2.8W (Tc) |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | SI4946CDY-T1-GE3CT |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 350pF @ 30V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Standard |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) 2W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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