IRFD9110
IRFD9110
Modelo do Produto:
IRFD9110
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
47446 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
IRFD9110.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.2 Ohm @ 420mA, 10V
Dissipação de energia (Max):1.3W (Ta)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:4-DIP (0.300", 7.62mm)
Outros nomes:*IRFD9110
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:200pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:8.7nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:P-Channel 100V 700mA (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:700mA (Ta)
Email:[email protected]

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