IRFD9110
- Artikelnummer:
- IRFD9110
- Hersteller:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- verfügbare Anzahl:
- 47446 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- IRFD9110.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.2 Ohm @ 420mA, 10V |
| Verlustleistung (max): | 1.3W (Ta) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Andere Namen: | *IRFD9110 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 200pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 8.7nC @ 10V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 100V |
| detaillierte Beschreibung: | P-Channel 100V 700mA (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 700mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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