FGA40N65SMD
FGA40N65SMD
Modelo do Produto:
FGA40N65SMD
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
IGBT 650V 80A 349W TO3P
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
32634 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FGA40N65SMD.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.5V @ 15V, 40A
Condição de teste:400V, 40A, 6 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:12ns/92ns
Alternando Energia:820µJ (on), 260µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-3PN
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):42ns
Power - Max:349W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-3P-3, SC-65-3
Outros nomes:FGA40N65SMD-ND
FGA40N65SMDFS
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:Field Stop
portão de carga:119nC
Descrição detalhada:IGBT Field Stop 650V 80A 349W Through Hole TO-3PN
Atual - Collector Pulsada (ICM):120A
Atual - Collector (Ic) (Max):80A
Email:[email protected]

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