FGA40N65SMD
- Artikelnummer:
- FGA40N65SMD
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- IGBT 650V 80A 349W TO3P
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 32634 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- FGA40N65SMD.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 650V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.5V @ 15V, 40A |
| Testbedingung: | 400V, 40A, 6 Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C: | 12ns/92ns |
| Schaltenergie: | 820µJ (on), 260µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-3PN |
| Serie: | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 42ns |
| Leistung - max: | 349W |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Andere Namen: | FGA40N65SMD-ND FGA40N65SMDFS |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabetyp: | Standard |
| IGBT-Typ: | Field Stop |
| Gate-Ladung: | 119nC |
| detaillierte Beschreibung: | IGBT Field Stop 650V 80A 349W Through Hole TO-3PN |
| Strom - Collector Pulsed (Icm): | 120A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 80A |
| Email: | [email protected] |
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