BS170_J35Z
Modelo do Produto:
BS170_J35Z
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
69888 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
BS170_J35Z.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-92-3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5 Ohm @ 200mA, 10V
Dissipação de energia (Max):830mW (Ta)
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:40pF @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:N-Channel 60V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:500mA (Ta)
Número da peça base:BS170
Email:[email protected]

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