SI3590DV-T1-E3
SI3590DV-T1-E3
Part Number:
SI3590DV-T1-E3
Producent:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Opis:
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Stan ołowiu / status RoHS:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dostępna Ilość:
70800 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Arkusz danych:
SI3590DV-T1-E3.pdf

Wprowadzenie

We can supply SI3590DV-T1-E3, use the request quote form to request SI3590DV-T1-E3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI3590DV-T1-E3.The price and lead time for SI3590DV-T1-E3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI3590DV-T1-E3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specyfikacje

Stan New & Unused, Original Packing
Pochodzenie Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Dostawca urządzeń Pakiet:6-TSOP
Seria:TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs:77 mOhm @ 3A, 4.5V
Moc - Max:830mW
Opakowania:Tape & Reel (TR)
Package / Case:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Inne nazwy:SI3590DV-T1-E3TR
SI3590DVT1E3
temperatura robocza:-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta:33 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:-
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:4.5nC @ 4.5V
Rodzaj FET:N and P-Channel
Cecha FET:Logic Level Gate
Spust do źródła napięcia (Vdss):30V
szczegółowy opis:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5A, 1.7A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:2.5A, 1.7A
Podstawowy numer części:SI3590
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze