SI3590DV-T1-E3
SI3590DV-T1-E3
部品型番:
SI3590DV-T1-E3
メーカー:
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
70800 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
SI3590DV-T1-E3.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Unused, Original Packing
出典 Contact us
同上@ VGS(TH)(最大):1.5V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:6-TSOP
シリーズ:TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):77 mOhm @ 3A, 4.5V
電力 - 最大:830mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
他の名前:SI3590DV-T1-E3TR
SI3590DVT1E3
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:33 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:-
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:4.5nC @ 4.5V
FETタイプ:N and P-Channel
FET特長:Logic Level Gate
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
詳細な説明:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5A, 1.7A 830mW Surface Mount 6-TSOP
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):2.5A, 1.7A
ベース部品番号:SI3590
Email:[email protected]

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