조건 | New & Unused, Original Packing |
---|---|
유래 | Contact us |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 2.5V @ 100µA |
제조업체 장치 패키지: | 6-µDFN(2x2) |
연속: | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 46 mOhm @ 4A, 10V |
전력 - 최대: | 1W |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | 6-WDFN Exposed Pad |
다른 이름들: | SSM6N55NU,LF SSM6N55NU,LF(B SSM6N55NULF SSM6N55NULF(TTR SSM6N55NULFTR SSM6N55NULFTR-ND |
작동 온도: | 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 280pF @ 15V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 2.5nC @ 4.5V |
FET 유형: | 2 N-Channel (Dual) |
FET 특징: | Logic Level Gate |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 30V |
상세 설명: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 1W Surface Mount 6-µDFN(2x2) |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 4A |
Email: | [email protected] |