SSM6N55NU,LF(T
- Modello di prodotti:
- SSM6N55NU,LF(T
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 21612 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- SSM6N55NU,LF(T.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 100µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-µDFN(2x2) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 46 mOhm @ 4A, 10V |
| Potenza - Max: | 1W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | SSM6N55NU,LF SSM6N55NU,LF(B SSM6N55NULF SSM6N55NULF(TTR SSM6N55NULFTR SSM6N55NULFTR-ND |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 280pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 1W Surface Mount 6-µDFN(2x2) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A |
| Email: | [email protected] |
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