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APT80SM120S
제품 모델:
APT80SM120S
제조사:
Microsemi
기술:
POWER MOSFET - SIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
55063 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
APT80SM120S.pdf
문의

소개

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규격

조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
아이디 @ VGS (일) (최대):2.5V @ 1mA
Vgs (최대):+25V, -10V
과학 기술:SiCFET (Silicon Carbide)
제조업체 장치 패키지:D3Pak
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):55 mOhm @ 40A, 20V
전력 소비 (최대):625W (Tc)
포장:Bulk
패키지 / 케이스:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:235nC @ 20V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):20V
소스 전압에 드레인 (Vdss):1200V
상세 설명:N-Channel 1200V 80A (Tc) 625W (Tc) Surface Mount D3Pak
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):80A (Tc)
Email:[email protected]

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