2N2907AE4
- 部品型番:
- 2N2907AE4
- メーカー:
- Microsemi
- 説明:
- DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP T
- フリーステータス/ RoHS状態:
- RoHS準拠
- 在庫数量:
- 18697 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- データシート:
- 2N2907AE4.pdf
簡潔な
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規格
| 状況 | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: | 60V |
| IB、IC @ Vce飽和（最大）: | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| トランジスタ型式: | PNP |
| サプライヤデバイスパッケージ: | TO-18 |
| シリーズ: | - |
| RoHSステータス: | RoHS Compliant |
| 電力 - 最大: | 500mW |
| パッケージ/ケース: | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| 運転温度: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 周波数 - トランジション: | - |
| 詳細な説明: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 600mA 500mW Through Hole TO-18 |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）: | 100 @ 150mA, 10V |
| 電流 - コレクタ遮断（最大）: | 10µA (ICBO) |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max）: | 600mA |
| Email: | [email protected] |
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