SQM120P10_10M1LGE3
- Modello di prodotti:
- SQM120P10_10M1LGE3
- fabbricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 100V 120A TO263
- quantità disponibile:
- 44792 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- SQM120P10_10M1LGE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-263 (D²Pak) |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 10.1 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 375W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 9000pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 190nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione dettagliata: | P-Channel 100V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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