2N2222AE3
- Modello di prodotti:
- 2N2222AE3
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- SMALL-SIGNAL BJT
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- A norma RoHS
- quantità disponibile:
- 29290 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- 2N2222AE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 1V @ 50mA, 500mA |
| Tipo transistor: | NPN |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-18 |
| Serie: | - |
| Stato RoHS: | RoHS Compliant |
| Potenza - Max: | 500mW |
| Contenitore / involucro: | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| temperatura di esercizio: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Frequenza - transizione: | - |
| Descrizione dettagliata: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 150mA, 10V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 50nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 800mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 2N2222AE3
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