2N2222AE3
- Artikelnummer:
- 2N2222AE3
- Hersteller:
- Microsemi
- Beschreibung:
- SMALL-SIGNAL BJT
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 29290 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- 2N2222AE3.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 50mA, 500mA |
| Transistor-Typ: | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-18 |
| Serie: | - |
| RoHS-Status: | RoHS Compliant |
| Leistung - max: | 500mW |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Betriebstemperatur: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Frequenz - Übergang: | - |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 100 @ 150mA, 10V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 50nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 800mA |
| Email: | [email protected] |
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