État | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 25V |
Transistor Type: | NPN |
Package composant fournisseur: | TO-92-3 |
Séries: | - |
Puissance - Max: | 350mW |
Emballage: | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Autres noms: | MPSH10RLRAOSCT |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Noise Figure (dB Typ @ f): | - |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Gain: | - |
Fréquence - Transition: | 650MHz |
Description détaillée: | RF Transistor NPN 25V 650MHz 350mW Through Hole TO-92-3 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 60 @ 4mA, 10V |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | - |
Numéro de pièce de base: | MPSH10 |
Email: | [email protected] |