Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 25V |
Transistor-Typ: | NPN |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-92-3 |
Serie: | - |
Leistung - max: | 350mW |
Verpackung: | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Andere Namen: | MPSH10RLRAOSCT |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rauschzahl (dB Typ @ f): | - |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Gewinnen: | - |
Frequenz - Übergang: | 650MHz |
detaillierte Beschreibung: | RF Transistor NPN 25V 650MHz 350mW Through Hole TO-92-3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 60 @ 4mA, 10V |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | - |
Basisteilenummer: | MPSH10 |
Email: | [email protected] |