Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > APTM20UM05SG
APTM20UM05SG
Modèle de produit:
APTM20UM05SG
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET N-CH 200V 317A J3
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
75855 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
APTM20UM05SG.pdf
Enquête

introduction

We can supply APTM20UM05SG, use the request quote form to request APTM20UM05SG pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APTM20UM05SG.The price and lead time for APTM20UM05SG depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APTM20UM05SG.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 10mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:Module
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5 mOhm @ 158.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):1136W (Tc)
Emballage:Bulk
Package / Boîte:J3 Module
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:27400pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:448nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):200V
Description détaillée:N-Channel 200V 317A (Tc) 1136W (Tc) Chassis Mount Module
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:317A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes APTM20UM05SG

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
APTM50AM38FTG Image APTM50AM38FTG Microsemi MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 Enquête
APTM50AM35FTG Image APTM50AM35FTG Microsemi MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4 Enquête
APTM20UM09SG Microsemi MOSFET N-CH 200V 195A J3 Enquête
APTM20UM04SAG Microsemi MOSFET N-CH 200V 417A SP6 Enquête
APTM50AM24SG Image APTM50AM24SG Microsemi MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 Enquête
APTM50AM19FG Microsemi MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6 Enquête
APTM20SKM05G Microsemi MOSFET N-CH 200V 317A SP6 Enquête
APTM20UM03FAG Image APTM20UM03FAG Microsemi MOSFET N-CH 200V 580A SP6 Enquête
APTM20SKM04G Image APTM20SKM04G Microsemi MOSFET N-CH 200V 372A SP6 Enquête
APTM20SKM10TG Microsemi MOSFET N-CH 200V 175A SP4 Enquête
APTM50AM19STG Microsemi MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4 Enquête
APTM50AM25FTG Microsemi MOSFET 2N-CH 500V 149A SP4 Enquête
APTM50AM17FG Microsemi MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6 Enquête
APTM50A15FT1G Microsemi MOSFET 2N-CH 500V 25A SP1 Enquête
APTM20TAM16FPG Image APTM20TAM16FPG Microsemi MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P Enquête
APTM20HM20STG Microsemi MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4 Enquête
APTM50AM24SCG Microsemi MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 Enquête
APTM20HM20FTG Microsemi MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4 Enquête
APTM20TDUM16PG Image APTM20TDUM16PG Microsemi MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P Enquête
APTM20SKM08TG Microsemi MOSFET N-CH 200V 208A SP4 Enquête

Latest Nouvelles