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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > APTM20HM20STG
APTM20HM20STG
Modèle de produit:
APTM20HM20STG
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
58879 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.APTM20HM20STG.pdf2.APTM20HM20STG.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Package composant fournisseur:SP4
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:24 mOhm @ 44.5A, 10V
Puissance - Max:357W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:SP4
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:6850pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:112nC @ 10V
type de FET:4 N-Channel (H-Bridge)
Fonction FET:Standard
Tension drain-source (Vdss):200V
Description détaillée:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 200V 89A 357W Chassis Mount SP4
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:89A
Email:[email protected]

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