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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Modules > APT50GF120JRDQ3
APT50GF120JRDQ3
APT50GF120JRDQ3
Modèle de produit:
APT50GF120JRDQ3
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 1200V 120A 521W SOT227
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
29843 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.APT50GF120JRDQ3.pdf2.APT50GF120JRDQ3.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:3V @ 15V, 75A
Package composant fournisseur:ISOTOP®
Séries:-
Puissance - Max:521W
Package / Boîte:ISOTOP
Autres noms:APT50GF120JRDQ3MI
APT50GF120JRDQ3MI-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance:No
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:5.32nF @ 25V
Contribution:Standard
type de IGBT:NPT
Description détaillée:IGBT Module NPT Single 1200V 120A 521W Chassis Mount ISOTOP®
Courant - Collecteur Cutoff (Max):750µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):120A
Configuration:Single
Email:[email protected]

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