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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT50GF120B2RG
APT50GF120B2RG
APT50GF120B2RG
Modèle de produit:
APT50GF120B2RG
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 1200V 135A 781W TMAX
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
73278 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.APT50GF120B2RG.pdf2.APT50GF120B2RG.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:3V @ 15V, 50A
Condition de test:800V, 50A, 1 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:25ns/260ns
énergie de commutation:3.6mJ (on), 2.64mJ (off)
Séries:-
Puissance - Max:781W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3 Variant
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:NPT
gate charge:340nC
Description détaillée:IGBT NPT 1200V 135A 781W Through Hole
Courant - Collecteur pulsée (Icm):150A
Courant - Collecteur (Ic) (max):135A
Email:[email protected]

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