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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > TK12A60W,S4VX
TK12A60W,S4VX
TK12A60W,S4VX
Número de pieza:
TK12A60W,S4VX
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
30623 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
TK12A60W,S4VX.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Unused, Original Packing
Origen Contact us
VGS (th) (Max) @Id:3.7V @ 600µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220SIS
Serie:DTMOSIV
RDS (Max) @Id, Vgs:300 mOhm @ 5.8A, 10V
La disipación de energía (máximo):35W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Otros nombres:TK12A60W,S4VX(M
TK12A60WS4VX
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:890pF @ 300V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Super Junction
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción detallada:N-Channel 600V 11.5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:11.5A (Ta)
Email:[email protected]

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