Bedingung | New & Unused, Original Packing |
---|---|
Ursprung | Contact us |
VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±8V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | PowerPAK® SC-75-6L Single |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 20 mOhm @ 6.3A, 4.5V |
Verlustleistung (max): | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | PowerPAK® SC-75-6L |
Andere Namen: | SIB488DK-T1-GE3TR SIB488DKT1GE3 |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 725pF @ 6V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 8V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 12V |
detaillierte Beschreibung: | N-Channel 12V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 9A (Tc) |
Email: | [email protected] |