Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 100V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 1.2V @ 375mA, 3A |
Transistor-Typ: | NPN |
Supplier Device-Gehäuse: | DPAK |
Serie: | - |
Leistung - max: | 1.56W |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Andere Namen: | NJVMJD31CT4G NJVMJD31CT4G-ND NJVMJD31CT4G-VF01OSTR NJVMJD31CT4GOSTR NJVMJD31CT4GOSTR-ND |
Betriebstemperatur: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 17 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 3MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Surface Mount DPAK |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 25 @ 1A, 4V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 50µA |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 3A |
Basisteilenummer: | MJD31 |
Email: | [email protected] |