NJVMJD3055T4G
- Artikelnummer:
- NJVMJD3055T4G
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS NPN 60V 10A DPAK-4
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 34597 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- NJVMJD3055T4G.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 60V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 8V @ 3.3A, 10A |
| Transistor-Typ: | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse: | DPAK |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 1.75W |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen: | NJVMJD3055T4GOSCT |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 2 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 2MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 10A 2MHz 1.75W Surface Mount DPAK |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 20 @ 4A, 4V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 50µA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 10A |
| Email: | [email protected] |
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