SIA777EDJ-T1-GE3
SIA777EDJ-T1-GE3
Part Number:
SIA777EDJ-T1-GE3
Výrobce:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Popis:
MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
30612 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Datový list:
SIA777EDJ-T1-GE3.pdf

Úvod

We can supply SIA777EDJ-T1-GE3, use the request quote form to request SIA777EDJ-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SIA777EDJ-T1-GE3.The price and lead time for SIA777EDJ-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SIA777EDJ-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifikace

Stav New & Unused, Original Packing
Původ Contact us
Vgs (th) (max) 'Id:1V @ 250µA
Dodavatel zařízení Package:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Série:TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:225 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power - Max:5W, 7.8W
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:15 Weeks
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:-
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:2.2nC @ 5V
Typ FET:N and P-Channel
FET Feature:Logic Level Gate
Drain na zdroj napětí (Vdss):20V, 12V
Detailní popis:Mosfet Array N and P-Channel 20V, 12V 1.5A, 4.5A 5W, 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:1.5A, 4.5A
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře