SI7501DN-T1-GE3
SI7501DN-T1-GE3
Part Number:
SI7501DN-T1-GE3
Výrobce:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Popis:
MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
27354 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Datový list:
SI7501DN-T1-GE3.pdf

Úvod

We can supply SI7501DN-T1-GE3, use the request quote form to request SI7501DN-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI7501DN-T1-GE3.The price and lead time for SI7501DN-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI7501DN-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifikace

Stav New & Unused, Original Packing
Původ Contact us
Vgs (th) (max) 'Id:3V @ 250µA
Dodavatel zařízení Package:PowerPAK® 1212-8 Dual
Série:TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:35 mOhm @ 7.7A, 10V
Power - Max:1.6W
Obal:Cut Tape (CT)
Paket / krabice:PowerPAK® 1212-8 Dual
Ostatní jména:SI7501DN-T1-GE3CT
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:-
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 10V
Typ FET:N and P-Channel, Common Drain
FET Feature:Logic Level Gate
Drain na zdroj napětí (Vdss):30V
Detailní popis:Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V 5.4A, 4.5A 1.6W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:5.4A, 4.5A
Číslo základní části:SI7501
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře