Stav | New & Unused, Original Packing |
---|---|
Původ | Contact us |
Vgs (th) (max) 'Id: | 900mV @ 1mA |
Vgs (Max): | ±8V |
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | PowerPAK® SO-8 |
Série: | TrenchFET® |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 7.3 mOhm @ 20A, 4.5V |
Ztráta energie (Max): | 1.8W (Ta) |
Obal: | Original-Reel® |
Paket / krabice: | PowerPAK® SO-8 |
Ostatní jména: | SI7485DP-T1-GE3DKR |
Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže: | Surface Mount |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 150nC @ 5V |
Typ FET: | P-Channel |
FET Feature: | - |
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 1.8V, 4.5V |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 20V |
Detailní popis: | P-Channel 20V 12.5A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 12.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |