狀況 | New & Unused, Original Packing |
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來源 | Contact us |
VGS(TH)(最大)@標識: | 3V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | TO-226AA |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 6 Ohm @ 500mA, 10V |
功率耗散(最大): | 800mW (Ta) |
封装: | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
其他名稱: | TP0610KL-TR1-E3CT TP0610KLTR1E3 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 3nC @ 15V |
FET型: | P-Channel |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 4.5V, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
詳細說明: | P-Channel 60V 270mA (Ta) 800mW (Ta) Through Hole TO-226AA |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 270mA (Ta) |
Email: | [email protected] |