狀況 | New & Unused, Original Packing |
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來源 | Contact us |
VGS(TH)(最大)@標識: | 2.3V @ 250µA |
Vgs(最大): | +20V, -16V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | PowerPAK® SO-8 |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 0.88 mOhm @ 20A, 10V |
功率耗散(最大): | 104W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | PowerPAK® SO-8 |
其他名稱: | SIR638DP-T1-GE3TR |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 10500pF @ 20V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 204nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 4.5V, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 40V |
詳細說明: | N-Channel 40V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 100A (Tc) |
Email: | [email protected] |