狀況 | New & Unused, Original Packing |
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來源 | Contact us |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 50V |
Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 300mV @ 250µA, 5mA |
晶體管類型: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
供應商設備封裝: | US6 |
系列: | - |
電阻器 - 發射器底座(R2): | - |
電阻器 - 基座(R1): | 4.7 kOhms |
功率 - 最大: | 200mW |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
其他名稱: | RN4990(T5LFT)TR RN4990T5LFT |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換: | 250MHz, 200MHz |
詳細說明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 120 @ 1mA, 5V |
電流 - 集電極截止(最大): | 100µA (ICBO) |
電流 - 集電極(Ic)(最大): | 100mA |
Email: | [email protected] |