狀況 | New & Unused, Original Packing |
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來源 | Contact us |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 50V |
Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 150mV @ 500µA, 10mA |
晶體管類型: | PNP - Pre-Biased |
供應商設備封裝: | TO-92-3 |
系列: | - |
電阻器 - 發射器底座(R2): | 22 kOhms |
電阻器 - 基座(R1): | 22 kOhms |
功率 - 最大: | 500mW |
封装: | Tape & Box (TB) |
封裝/箱體: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
其他名稱: | 934047370126 PDTA124ES AMO PDTA124ES AMO-ND |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細說明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 60 @ 5mA, 5V |
電流 - 集電極截止(最大): | 1µA |
電流 - 集電極(Ic)(最大): | 100mA |
基礎部件號: | PDTA124 |
Email: | [email protected] |