狀況 | New & Unused, Original Packing |
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來源 | Contact us |
VGS(TH)(最大)@標識: | 1.5V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±12V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | Micro3™/SOT-23 |
系列: | HEXFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 600 mOhm @ 610mA, 4.5V |
功率耗散(最大): | 540mW (Ta) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
其他名稱: | IRLML6302GTRPBF IRLML6302GTRPBF-ND IRLML6302GTRPBFTR IRLML6302GTRPBFTR-ND IRLML6302PBFTR SP001550492 SP001574060 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 97pF @ 15V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 3.6nC @ 4.45V |
FET型: | P-Channel |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 2.7V, 4.5V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
詳細說明: | P-Channel 20V 780mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 780mA (Ta) |
Email: | [email protected] |