狀況 | New & Unused, Original Packing |
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來源 | Contact us |
VGS(TH)(最大)@標識: | 3.5V @ 130µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | TO-252-3 |
系列: | CoolMOS™ CE |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 1 Ohm @ 1.5A, 10V |
功率耗散(最大): | 37W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
其他名稱: | IPD60R1K0CEATMA1TR SP001276032 |
工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 3 (168 Hours) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 280pF @ 100V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 13nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 600V |
詳細說明: | N-Channel 600V 4.3A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount TO-252-3 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 4.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |