Şart | New & Unused, Original Packing |
---|---|
Menşei | Contact us |
Id @ Vgs (th) (Max): | 1V @ 250µA (Min) |
Vgs (Maks.): | ±20V |
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | 8-TSSOP |
Dizi: | TrenchFET® |
Id, VGS @ rds On (Max): | 14 mOhm @ 7.8A, 10V |
Güç Tüketimi (Max): | 1.5W (Ta) |
paketleme: | Tape & Reel (TR) |
Paket / Kutu: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Diğer isimler: | SI6410DQ-T1-E3TR SI6410DQT1E3 |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 33nC @ 5V |
FET Tipi: | N-Channel |
FET Özelliği: | - |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 4.5V, 10V |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 30V |
Detaylı Açıklama: | N-Channel 30V 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | - |
Email: | [email protected] |