Türk dili
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
Hakkımızda | Bizimle iletişime geçin | Bir teklif isteği |
Ev > Ürünler > Ayrı Yarıiletken Ürünler > Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli > APT34N80LC3G
APT34N80LC3G
APT34N80LC3G
Parça Numarası:
APT34N80LC3G
Üretici firma:
Microsemi
Açıklama:
MOSFET N-CH 800V 34A TO-264
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
17702 Pieces
Teslimat süresi:
1-2 days
Veri Sayfası:
1.APT34N80LC3G.pdf2.APT34N80LC3G.pdf
soruşturma

Giriş

We can supply APT34N80LC3G, use the request quote form to request APT34N80LC3G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT34N80LC3G.The price and lead time for APT34N80LC3G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT34N80LC3G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Özellikler

Şart New & Unused, Original Packing
Menşei Contact us
Id @ Vgs (th) (Max):3.9V @ 2mA
Vgs (Maks.):±20V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:TO-264 [L]
Dizi:-
Id, VGS @ rds On (Max):145 mOhm @ 22A, 10V
Güç Tüketimi (Max):417W (Tc)
paketleme:Tube
Paket / Kutu:TO-264-3, TO-264AA
Diğer isimler:APT34N80LC3GMI
APT34N80LC3GMI-ND
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Through Hole
Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici Standart Teslimat Süresi:18 Weeks
Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu:Lead free / RoHS Compliant
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:4510pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:355nC @ 10V
FET Tipi:N-Channel
FET Özelliği:-
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):10V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):800V
Detaylı Açıklama:N-Channel 800V 34A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):34A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar

APT34N80LC3G için ilgili parçalar

görüntü Parça Numarası Üreticiler Açıklama Görünüm
APT34M120J Image APT34M120J Microsemi MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227 soruşturma
APT35GA90B Image APT35GA90B Microsemi IGBT 900V 63A 290W TO-247 soruşturma
APT35GN120L2DQ2G Image APT35GN120L2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 94A 379W TO264 soruşturma
APT35GP120J Image APT35GP120J Microsemi IGBT 1200V 64A 284W SOT227 soruşturma
APT35GP120BG Image APT35GP120BG Microsemi IGBT 1200V 96A 543W TO247 soruşturma
APT35GA90BD15 Image APT35GA90BD15 Microsemi IGBT 900V 63A 290W TO247 soruşturma
APT35GP120B2DQ2G Image APT35GP120B2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 96A 543W TMAX soruşturma
APT34F100L Image APT34F100L Microsemi MOSFET N-CH 1000V 35A TO264 soruşturma
APT34F100B2 Image APT34F100B2 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX soruşturma
APT35GP120JDQ2 Image APT35GP120JDQ2 Microsemi IGBT 1200V 64A 284W SOT227 soruşturma
APT34F60BG Image APT34F60BG Microsemi MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 soruşturma
APT34M60B Image APT34M60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 36A TO-247 soruşturma
APT34N80B2C3G Image APT34N80B2C3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX soruşturma
APT35DL120HJ Image APT35DL120HJ Microsemi DIODE MODULE 1.2KV SOT227 soruşturma
APT35GT120JU2 Image APT35GT120JU2 Microsemi IGBT 1200V 35A 260W SOT-227 soruşturma
APT35GN120BG Image APT35GN120BG Microsemi IGBT 1200V 94A 379W TO247 soruşturma
APT33N90JCU2 Image APT33N90JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 soruşturma
APT34F60B Image APT34F60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 soruşturma
APT33N90JCU3 Image APT33N90JCU3 Microsemi MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 soruşturma
APT33N90JCCU3 Image APT33N90JCCU3 Microsemi MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 soruşturma

Latest Haberleri