SIHF12N65E-GE3
SIHF12N65E-GE3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SIHF12N65E-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay / Siliconix
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
32552 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
SIHF12N65E-GE3.pdf

บทนำ

We can supply SIHF12N65E-GE3, use the request quote form to request SIHF12N65E-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SIHF12N65E-GE3.The price and lead time for SIHF12N65E-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SIHF12N65E-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

เงื่อนไข New & Unused, Original Packing
ที่มา Contact us
แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:1224pF @ 100V
แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย:TO-220 Full Pack
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:380 mOhm @ 6A, 10V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ชุด:-
สถานะ RoHS:Bulk
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:12A (Tc)
โพลาไรซ์:TO-220-3 Full Pack
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:19 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:SIHF12N65E-GE3
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:70nC @ 10V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:4V @ 250µA
คุณสมบัติ FET:N-Channel
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 650V 12A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):-
ลักษณะ:MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:650V
อัตราส่วนการประจุกระแสไฟ:33W (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest