Svenska
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
Om oss | Kontakta oss | Begär ett citat |
Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > APT11N80BC3G
APT11N80BC3G
APT11N80BC3G
Artikelnummer:
APT11N80BC3G
Tillverkare:
Microsemi
Beskrivning:
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Ledningsfri status / RoHS-status:
Blyfri / Överensstämmer med RoHS
tillgänglig kvantitet:
38100 Pieces
Leveranstid:
1-2 days
Datablad:
APT11N80BC3G.pdf
Förfrågan

Introduktion

We can supply APT11N80BC3G, use the request quote form to request APT11N80BC3G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT11N80BC3G.The price and lead time for APT11N80BC3G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT11N80BC3G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifikationer

Tillstånd New & Unused, Original Packing
Ursprung Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:3.9V @ 680µA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package:TO-247 [B]
Serier:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:450 mOhm @ 7.1A, 10V
Effektdissipation (Max):156W (Tc)
Förpackning:Tube
Förpackning / Fodral:TO-247-3
Andra namn:APT11N80BC3GMI
APT11N80BC3GMI-ND
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp:Through Hole
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Tillverkarens normala ledtid:18 Weeks
Ledningsfri status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:1585pF @ 25V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 10V
FET-typ:N-Channel
FET-funktionen:-
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På):10V
Avlopp till källspänning (Vdss):800V
detaljerad beskrivning:N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer

Relaterade delar till APT11N80BC3G

Bild Artikelnummer tillverkare Beskrivning Se
APT1204R7KFLLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220 Förfrågan
APT12057LFLLG Image APT12057LFLLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264 Förfrågan
APT1204R7BFLLG Image APT1204R7BFLLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247 Förfrågan
APT10SCD120B Image APT10SCD120B Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 Förfrågan
APT11GF120KRG Microsemi IGBT 1200V 25A 156W TO220 Förfrågan
APT12067B2FLLG Image APT12067B2FLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX Förfrågan
APT12057B2FLLG Image APT12057B2FLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX Förfrågan
APT10SCD65KCT Microsemi DIODE SILICON 650V 17A TO220 Förfrågan
APT11F80S Image APT11F80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK Förfrågan
APT12057B2LLG Image APT12057B2LLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX Förfrågan
APT10SCD120K Image APT10SCD120K Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220 Förfrågan
APT11N80KC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 Förfrågan
APT12031JFLL Image APT12031JFLL Microsemi MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227 Förfrågan
APT10SCD120BCT Image APT10SCD120BCT Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 Förfrågan
APT11GP60BDQBG Image APT11GP60BDQBG Microsemi IGBT 600V 41A 187W TO247 Förfrågan
APT11GF120BRDQ1G Image APT11GF120BRDQ1G Microsemi IGBT 1200V 25A 156W TO247 Förfrågan
APT12057JLL Image APT12057JLL Microsemi MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227 Förfrågan
APT1201R4BFLLG Image APT1201R4BFLLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 Förfrågan
APT10SCD65K Image APT10SCD65K Microsemi DIODE SILICON 650V 17A TO220 Förfrågan
APT11F80B Image APT11F80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 Förfrågan

Latest News