Состояние | New & Unused, Original Packing |
---|---|
происхождения | Contact us |
Vgs (й) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
Vgs (макс.): | ±8V |
Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства: | SOT-23-3 (TO-236) |
Серии: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 112 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
Рассеиваемая мощность (макс): | 860mW (Ta), 1.6W (Tc) |
упаковка: | Tape & Reel (TR) |
Упаковка /: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Другие названия: | SI2301CDS-T1-E3-ND SI2301CDS-T1-E3TR SI2301CDST1E3 |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки: | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления: | 32 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 405pF @ 10V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 10nC @ 4.5V |
Тип FET: | P-Channel |
FET Характеристика: | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
Слить к источнику напряжения (VDSS): | 20V |
Подробное описание: | P-Channel 20V 3.1A (Tc) 860mW (Ta), 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 3.1A (Tc) |
Email: | [email protected] |