русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > R6009KNX
R6009KNX
R6009KNX
Тип продуктов:
R6009KNX
производитель:
LAPIS Semiconductor
Описание:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
66211 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
R6009KNX.pdf
запрос

Введение

We can supply R6009KNX, use the request quote form to request R6009KNX pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number R6009KNX.The price and lead time for R6009KNX depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# R6009KNX.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Состояние New & Unused, Original Packing
происхождения Contact us
Vgs (й) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (макс.):±20V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:TO-220FM
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:535 mOhm @ 2.8A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):48W (Tc)
упаковка:Bulk
Упаковка /:TO-220-3 Full Pack
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:15 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:540pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:16.5nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:Schottky Diode (Isolated)
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):600V
Подробное описание:N-Channel 600V 9A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220FM
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для R6009KNX

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
R6008FNX Image R6008FNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM запрос
R60100-1CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS запрос
R6009KNJTL Image R6009KNJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO263 запрос
R6007ENJTL Image R6007ENJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7A LPT запрос
R6007ENX Image R6007ENX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7A TO220 запрос
R6007KNX Image R6007KNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM запрос
R60100-3CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS запрос
R60100-3COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS запрос
R60100-3SR Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS запрос
R60100-2COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS запрос
R60100-2CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS запрос
R6009ENJTL Image R6009ENJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 9A LPT запрос
R60100-3CRQ Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS запрос
R6008ANX Image R6008ANX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM запрос
R6009ENX Image R6009ENX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 9A TO220 запрос
R60100-1STR Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS запрос
R6007KNJTL Image R6007KNJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO263 запрос
R6008FNJTL Image R6008FNJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 8A LPTS запрос
R60100-1COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS запрос
R60100-1STRM Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS запрос

Latest Новости