русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > PMXB40UNEZ
PMXB40UNEZ
PMXB40UNEZ
Тип продуктов:
PMXB40UNEZ
производитель:
Nexperia
Описание:
MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
12062 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
PMXB40UNEZ.pdf
запрос

Введение

We can supply PMXB40UNEZ, use the request quote form to request PMXB40UNEZ pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number PMXB40UNEZ.The price and lead time for PMXB40UNEZ depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# PMXB40UNEZ.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Состояние New & Unused, Original Packing
происхождения Contact us
Напряжение - испытания:556pF @ 10V
Напряжение - Разбивка:DFN1010D-3
Vgs (й) (Max) @ Id:45 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Серии:-
Статус RoHS:Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.2A (Ta)
поляризация:3-XDFN Exposed Pad
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень влажности (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:6 Weeks
Номер детали производителя:PMXB40UNEZ
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:11.6nC @ 4.5V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:900mV @ 250µA
FET Характеристика:N-Channel
Расширенное описание:N-Channel 12V 3.2A (Ta) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Слить к источнику напряжения (VDSS):-
Описание:MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:12V
Коэффициент емкости:400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для PMXB40UNEZ

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
PMXB120EPEZ Image PMXB120EPEZ Nexperia USA Inc. MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3 запрос
CSD13383F4T Luminary Micro / Texas Instruments MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR запрос
PMXB120EPE Image PMXB120EPE Nexperia MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN запрос
PMXB360ENEAZ Image PMXB360ENEAZ Nexperia MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN запрос
PMXB75UPEZ Image PMXB75UPEZ Nexperia MOSFET P-CH 20V DFN1010D-3G запрос
PMXB43UNEZ Image PMXB43UNEZ Nexperia MOSFET N-CH 20V 3.2A 3DFN запрос
PMXB56EN Image PMXB56EN Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN запрос
PMXB65ENEZ Image PMXB65ENEZ Nexperia MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN запрос
PMXB350UPEZ Image PMXB350UPEZ Nexperia MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN запрос
PMXB65UPEZ Image PMXB65UPEZ Nexperia MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G запрос
PMXB56ENZ Image PMXB56ENZ Nexperia MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G запрос
PMXB120EPEZ Image PMXB120EPEZ Nexperia MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN запрос
CSD17553Q5A Luminary Micro / Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 23.5A 8SON запрос
PMXB40UNEZ Image PMXB40UNEZ Nexperia MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN запрос
PMXB350UPEZ Image PMXB350UPEZ Nexperia USA Inc. MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3 запрос
PMXB43UNEZ Image PMXB43UNEZ Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3G запрос
FDV304P_NB8U003 AMI Semiconductor / ON Semiconductor MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23 запрос
PMXB56EN Image PMXB56EN Nexperia MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN запрос
PMXB40UNE Image PMXB40UNE Nexperia MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN запрос
PMXB360ENEAZ Image PMXB360ENEAZ Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3 запрос

Latest Новости