русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > PMXB350UPEZ
PMXB350UPEZ
PMXB350UPEZ
Тип продуктов:
PMXB350UPEZ
производитель:
Nexperia
Описание:
MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
78781 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
PMXB350UPEZ.pdf
запрос

Введение

We can supply PMXB350UPEZ, use the request quote form to request PMXB350UPEZ pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number PMXB350UPEZ.The price and lead time for PMXB350UPEZ depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# PMXB350UPEZ.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Состояние New & Unused, Original Packing
происхождения Contact us
Vgs (й) (Max) @ Id:950mV @ 250µA
Vgs (макс.):±8V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:DFN1010D-3
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:447 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс):360mW (Ta), 5.68W (Tc)
упаковка:Cut Tape (CT)
Упаковка /:3-XDFN Exposed Pad
Другие названия:1727-1473-1
568-10944-1
568-10944-1-ND
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:8 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:116pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:2.3nC @ 4.5V
Тип FET:P-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):1.2V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS):20V
Подробное описание:P-Channel 20V 1.2A (Ta) 360mW (Ta), 5.68W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:1.2A (Ta)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для PMXB350UPEZ

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
PMXB120EPEZ Image PMXB120EPEZ Nexperia USA Inc. MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3 запрос
PMXB120EPEZ Image PMXB120EPEZ Nexperia MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN запрос
PMXB65ENEZ Image PMXB65ENEZ Nexperia MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN запрос
PMXB40UNE Image PMXB40UNE Nexperia MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN запрос
PMXB40UNEZ Image PMXB40UNEZ Nexperia MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN запрос
PMXB43UNEZ Image PMXB43UNEZ Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3G запрос
PMXB56ENZ Image PMXB56ENZ Nexperia MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G запрос
PMXB56EN Image PMXB56EN Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN запрос
PMXB120EPE Image PMXB120EPE Nexperia MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN запрос
PMXB56EN Image PMXB56EN Nexperia MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN запрос
PMXB350UPEZ Image PMXB350UPEZ Nexperia USA Inc. MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3 запрос
SI4378DY-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC запрос
PMXB360ENEAZ Image PMXB360ENEAZ Nexperia MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN запрос
PMXB43UNEZ Image PMXB43UNEZ Nexperia MOSFET N-CH 20V 3.2A 3DFN запрос
PMXB65UPEZ Image PMXB65UPEZ Nexperia MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G запрос
IXTH76N25T Image IXTH76N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 76A TO-247 запрос
PMXB40UNEZ Image PMXB40UNEZ Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G запрос
PMXB360ENEAZ Image PMXB360ENEAZ Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3 запрос
PMXB75UPEZ Image PMXB75UPEZ Nexperia MOSFET P-CH 20V DFN1010D-3G запрос
AOD4185L_003 Alpha and Omega Semiconductor, Inc. MOSFET P-CHANNEL 40V 40A TO252 запрос

Latest Новости