русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IXFX27N80Q
IXFX27N80Q
IXFX27N80Q
Тип продуктов:
IXFX27N80Q
производитель:
IXYS Corporation
Описание:
MOSFET N-CH 800V 27A PLUS 247
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
59677 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
IXFX27N80Q.pdf
запрос

Введение

We can supply IXFX27N80Q, use the request quote form to request IXFX27N80Q pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXFX27N80Q.The price and lead time for IXFX27N80Q depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXFX27N80Q.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Состояние New & Unused, Original Packing
происхождения Contact us
Vgs (й) (Max) @ Id:4.5V @ 4mA
Vgs (макс.):±20V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:PLUS247™-3
Серии:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:320 mOhm @ 500mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):500W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-247-3
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:24 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:7600pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:170nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):800V
Подробное описание:N-Channel 800V 27A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:27A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для IXFX27N80Q

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
IXFX24N90Q Image IXFX24N90Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 24A PLUS 247 запрос
IXFX32N100Q3 Image IXFX32N100Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247 запрос
IXFX32N100P Image IXFX32N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247 запрос
IXFX24N100F Image IXFX24N100F IXYS RF MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3 запрос
IXFX25N90 Image IXFX25N90 IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 25A PLUS247 запрос
IXFX300N20X3 Image IXFX300N20X3 IXYS Corporation 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS запрос
IXFX250N10P Image IXFX250N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247 запрос
IXFX30N110P Image IXFX30N110P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247 запрос
IXFX26N60Q Image IXFX26N60Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 26A PLUS 247 запрос
IXFX30N100Q2 Image IXFX30N100Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247 запрос
IXFX26N120P Image IXFX26N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247 запрос
IXFX30N50Q Image IXFX30N50Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 30A PLUS247 запрос
IXFX320N17T2 Image IXFX320N17T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 170V 320A PLUS247 запрос
IXFX260N17T Image IXFX260N17T IXYS Corporation MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247 запрос
IXFX30N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH PLUS247 запрос
IXFX32N48Q IXYS Corporation MOSFET N-CH PLUS247 запрос
IXFX26N100P Image IXFX26N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247 запрос
IXFX24N100Q3 Image IXFX24N100Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247 запрос
IXFX32N50 Image IXFX32N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247 запрос
IXFX26N90 Image IXFX26N90 IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247 запрос

Latest Новости